Gamintojo produkto numeris:
STD16N65M2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD16N65M2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
13 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12945683
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD16N65M2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ M2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
718 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
110W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
STD16
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-15258-1
497-15258-2
497-15258-6
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIHD14N60E-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1269
DiGi DALIES NUMERIS
SIHD14N60E-GE3-DG
VISO KAINA
0.86
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW40N90K5
MOSFET N-CH 900V 40A TO247
STB6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
STP57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
