Gamintojo produkto numeris:
STD1NK60-1
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD1NK60-1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventorius:
5751 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12879508
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD1NK60-1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.7V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
156 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
30W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I-PAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
STD1
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-12782-5
STD1NK60-1-DG
-497-12782-5
STD1NK601
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW43NM60N
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STL36N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
STP4NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
