Gamintojo produkto numeris:
STD3NK60Z-1
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD3NK60Z-1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventorius:
2900 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12874939
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
xNmJ
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD3NK60Z-1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Not For New Designs
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
311 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I-PAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
STD3NK60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-19648
STD3NK60Z-1-DG
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFUC20PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
7
DiGi DALIES NUMERIS
IRFUC20PBF-DG
VISO KAINA
0.60
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STU6N60M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
4
DiGi DALIES NUMERIS
STU6N60M2-DG
VISO KAINA
0.46
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STF12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
STL24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
