Gamintojo produkto numeris:
STD6NM60N-1
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD6NM60N-1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
12879054
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD6NM60N-1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
420 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
STD6N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STU10N60M2
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
59
DiGi DALIES NUMERIS
STU10N60M2-DG
VISO KAINA
1.24
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STL31N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
