Gamintojo produkto numeris:
STD6NM60N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD6NM60N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
12878290
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD6NM60N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
420 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
STD6N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPD80R1K2P7ATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
14924
DiGi DALIES NUMERIS
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
VISO KAINA
0.40
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
TSM60NB900CP ROG
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
2480
DiGi DALIES NUMERIS
TSM60NB900CP ROG-DG
VISO KAINA
0.64
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STB185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STK822
MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
STP38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
