Gamintojo produkto numeris:
STD8N60DM2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STD8N60DM2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventorius:
3630 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12948518
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STD8N60DM2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ DM2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
375 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
85W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
DPAK
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
STD8
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-16930-2
497-16930-1
497-16930-6
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
