Gamintojo produkto numeris:
STF9N65M2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STF9N65M2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventorius:
853 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12875341
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STF9N65M2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
315 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
20W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220FP
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
STF9
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-15037-5
-497-15037-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK5A65W,S5X
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
TK5A65W,S5X-DG
VISO KAINA
0.54
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STD10PF06-1
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
STB85NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK