Gamintojo produkto numeris:
STH185N10F3-6
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STH185N10F3-6-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventorius:
12879305
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STH185N10F3-6 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
STripFET™ F3
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
180A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6665 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
315W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
H2PAK-6
Pakuotė / dėklas
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Pagrindinio produkto numeris
STH185
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-15469-2
497-15469-1
-497-15469-1
-497-15469-2
-497-15469-6
497-15469-6
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPB017N10N5LFATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
9941
DiGi DALIES NUMERIS
IPB017N10N5LFATMA1-DG
VISO KAINA
4.25
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PHK4NQ10T,518
MOSFET N-CH 100V 8SO
STF7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
STP16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
