Gamintojo produkto numeris:
STH260N6F6-6
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STH260N6F6-6-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventorius:
12877686
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STH260N6F6-6 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
180A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
H2PAK-6
Pakuotė / dėklas
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Pagrindinio produkto numeris
STH260
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
STH260N6F6-6-DG
497-15144-1
497-15144-2
497-15144-6
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPB017N06N3GATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
9000
DiGi DALIES NUMERIS
IPB017N06N3GATMA1-DG
VISO KAINA
1.54
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STL17N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STW37N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
STF34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
