Gamintojo produkto numeris:
STI10N62K3
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STI10N62K3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventorius:
850 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12945630
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STI10N62K3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperMESH3™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
620 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
STI10N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-12256
-497-12256
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
AOW11N60
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
773
DiGi DALIES NUMERIS
AOW11N60-DG
VISO KAINA
0.82
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFSL9N60APBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
900
DiGi DALIES NUMERIS
IRFSL9N60APBF-DG
VISO KAINA
1.21
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STP90NF03L
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB