Gamintojo produkto numeris:
STI11NM80
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STI11NM80-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventorius:
12873560
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STI11NM80 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MDmesh™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I2PAK (TO-262)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
STI11
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13106-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
STP5NK90Z
MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB
STP15N65M5
MOSFET N CH 650V 11A TO220
