Gamintojo produkto numeris:
STI18N65M5
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STI18N65M5-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventorius:
348 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12875459
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STI18N65M5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ V
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
110W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
STI18N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13272-5
-497-13272-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPI60R190C6XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
495
DiGi DALIES NUMERIS
IPI60R190C6XKSA1-DG
VISO KAINA
1.43
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
STP18N65M5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
896
DiGi DALIES NUMERIS
STP18N65M5-DG
VISO KAINA
1.26
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP40NF12
MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
STW13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
