Gamintojo produkto numeris:
STI34N65M5
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STI34N65M5-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Inventorius:
991 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12880287
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STI34N65M5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ V
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
62.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
190W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-281 (I2PAKFP)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Pagrindinio produkto numeris
STI34N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13439
-497-13439
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STP34N65M5
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
241
DiGi DALIES NUMERIS
STP34N65M5-DG
VISO KAINA
2.82
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW80NF55-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
STD12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
STW18NK60Z
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
