Gamintojo produkto numeris:
STL19N60M6
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STL19N60M6-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventorius:
12939188
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STL19N60M6 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ M6
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
308mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.75V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
650 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
90W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerFlat™ (8x8) HV
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
STL19
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-STL19N60M6CT
497-STL19N60M6TR
497-STL19N60M6DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STB50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STD16N60M6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
PXP1500-100QSJ
MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
