Gamintojo produkto numeris:
STL3NM60N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STL3NM60N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventorius:
8766 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12876090
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STL3NM60N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
188 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 22W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
STL3NM60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13351-2
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PHB174NQ04LT,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
STI200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
STD30PF03L-1
MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
