Gamintojo produkto numeris:
STN1HNK60
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STN1HNK60-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventorius:
45248 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12875578
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STN1HNK60 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
400mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.7V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
156 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Pagrindinio produkto numeris
STN1HNK60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-4668-6
497-4668-2
497-4668-1
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STB27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STW35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
