Gamintojo produkto numeris:
STP100N10F7
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP100N10F7-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
88 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12874567
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP100N10F7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
DeepGATE™, STripFET™ VII
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4369 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP100
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13550-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP16NS25
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
STD4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
STP9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
