Gamintojo produkto numeris:
STP12NM50
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP12NM50-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
756 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12877100
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP12NM50 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
160W (Tc)
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP12
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-2666-5
1026-STP12NM50
497-2666-5-NDR
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
