Gamintojo produkto numeris:
STP14NM65N
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP14NM65N-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
12879225
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP14NM65N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MDmesh™ II
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP14N
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-497-7024-5
1805-STP14NM65N
497-7024-5
1026-STP14NM65N
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPP60R380E6XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IPP60R380E6XKSA1-DG
VISO KAINA
1.13
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
TK10E60W,S1VX
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
30
DiGi DALIES NUMERIS
TK10E60W,S1VX-DG
VISO KAINA
1.31
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STF15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STB6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
