Gamintojo produkto numeris:
STP18NM80
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP18NM80-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
1000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12879435
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP18NM80 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
17A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2070 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
190W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP18
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-10076-5
-1138-STP18NM80
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
STFU18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STL25N15F4
MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
