Gamintojo produkto numeris:
STP33N60M2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP33N60M2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
727 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12875644
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP33N60M2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ II Plus
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
26A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1781 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
190W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP33
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-14221-5
STP33N60M2-DG
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
STD30NF04LT
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
STP7N90K5
MOSFET N-CH 900V 7A TO220