Gamintojo produkto numeris:
STP3NK100Z
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP3NK100Z-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
12871544
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP3NK100Z Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
601 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
90W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP3N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
STP3NK100Z-DG
-497-7524-5
497-7524-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFBG30PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
4495
DiGi DALIES NUMERIS
IRFBG30PBF-DG
VISO KAINA
1.02
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFBG20PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1421
DiGi DALIES NUMERIS
IRFBG20PBF-DG
VISO KAINA
0.68
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW29NK50ZD
MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
STD47N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
STF5N105K5
MOSFET N-CH 1050V 3A TO220