Gamintojo produkto numeris:
STP7NK80Z
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP7NK80Z-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
995 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12878737
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP7NK80Z Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1138 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP7NK80
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
STP7NK80Z-DG
497-15684-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STU6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
STP95N2LH5
MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
STB13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
