Gamintojo produkto numeris:
STP8NS25
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STP8NS25-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
12875960
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STP8NS25 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
MESH OVERLAY™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
51.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
770 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
80W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
STP8N
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF644PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1392
DiGi DALIES NUMERIS
IRF644PBF-DG
VISO KAINA
0.65
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
RCX080N25
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
246
DiGi DALIES NUMERIS
RCX080N25-DG
VISO KAINA
0.43
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
IRF634PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
6636
DiGi DALIES NUMERIS
IRF634PBF-DG
VISO KAINA
0.67
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STS25NH3LL
MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
STW18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
STF6N68K3
MOSFET N-CH 680V TO220FP
