STQ1NK80ZR-AP
Gamintojo produkto numeris:

STQ1NK80ZR-AP

Product Overview

Gamintojas:

STMicroelectronics

Detalių numeris:

STQ1NK80ZR-AP-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventorius:

3891 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12876166
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

STQ1NK80ZR-AP Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Box (TB)
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
300mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
160 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pagrindinio produkto numeris
STQ1NK80

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
497-6197-3
497-6197-1
STQ1NK80ZRAP
Standartinis paketas
2,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
stmicroelectronics

STS17NH3LL

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

stmicroelectronics

STY30NK90Z

MOSFET N-CH 900V 26A MAX247

stmicroelectronics

STW240N10F7

MOSFET N-CH 100V 180A TO247

stmicroelectronics

STI35N65M5

MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK