Gamintojo produkto numeris:
STS1NK60Z
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STS1NK60Z-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
2112 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12872990
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STS1NK60Z Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
SuperMESH™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
250mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
94 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
STS1NK60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
STS1NK60Z-DG
497-12798-1
497-12798-2
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STL12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
2N7002E-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
