Gamintojo produkto numeris:
STU6N65K3
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STU6N65K3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
12878793
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STU6N65K3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
-
Serijos
SuperMESH3™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
880 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
110W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
STU6N65
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-497-13593-5
497-13593-5
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPU80R1K4P7AKMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
6
DiGi DALIES NUMERIS
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
VISO KAINA
0.35
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IPS65R950C6AKMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
150
DiGi DALIES NUMERIS
IPS65R950C6AKMA1-DG
VISO KAINA
0.66
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STP7NK40Z
MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
STB18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
