Gamintojo produkto numeris:
STU9N60M2
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STU9N60M2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12875739
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STU9N60M2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ II Plus
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
320 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
60W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (IPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
STU9N60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-13886-5-DG
-497-13886-5
497-13886-5
497-STU9N60M2
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STW42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
STW54NM65ND
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
STP22NS25Z
MOSFET N-CH 250V 22A TO220AB