Gamintojo produkto numeris:
STWA75N65DM6
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STWA75N65DM6-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventorius:
50 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12997459
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STWA75N65DM6 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.75V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5700 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
480W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247 Long Leads
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
497-STWA75N65DM6
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FBG30N04CC
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
PH4030DLVX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
IXFH46N65X3
MOSFET 46A 650V X3 TO247
