Gamintojo produkto numeris:
STY112N65M5
Product Overview
Gamintojas:
STMicroelectronics
Detalių numeris:
STY112N65M5-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 96A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Inventorius:
600 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12879739
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
STY112N65M5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
STMicroelectronics
Pakuotė
Tube
Serijos
MDmesh™ V
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
96A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
16870 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
625W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
MAX247™
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
STY112
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-1138-STY112N65M5
497-11236-5
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STF260N4F7
MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
STP10N62K3
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
STB200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
