GBU806H
Gamintojo produkto numeris:

GBU806H

Product Overview

Gamintojas:

Taiwan Semiconductor Corporation

Detalių numeris:

GBU806H-DG

Aprašymas:

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU
Išsami aprašymas:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBU

Inventorius:

1000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
8471899
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

GBU806H Techninės specifikacijos

Kategorija
Diodai, Tiltiniai tiesinimo įrenginiai
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Diodo tipas
Single Phase
Technologija
Standard
Įtampa - piko atvirkštinė vertė (maks.)
800 V
Dabartinis - vidutinis rektifikuotas (Io)
8 A
Įtampa - pirmyn (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 8 A
Srovė - atvirkštinis nuotėkis @ Vr
5 µA @ 800 V
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
4-SIP, GBU
Tiekėjo įrenginių paketas
GBU
Pagrindinio produkto numeris
GBU806

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
GBU806

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
GBU806HD2G
1801-GBU806H
GBU806HD2G-DG
Standartinis paketas
20

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
taiwan-semiconductor

TS8P06G

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A TS-6P

taiwan-semiconductor

TS25P04GHC2G

BRIDGE RECT 1P 400V 25A TS-6P

taiwan-semiconductor

KBP202G C2G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP

taiwan-semiconductor

GBL202HD2G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL