Gamintojo produkto numeris:

TSM2NB60CH

Product Overview

Gamintojas:

Taiwan Semiconductor Corporation

Detalių numeris:

TSM2NB60CH-DG

Aprašymas:

600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Išsami aprašymas:

N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12998747

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

TSM2NB60CH Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Taiwan Semiconductor

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

600 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

2A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4.5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

9.4 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

249 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

44W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-251 (IPAK)

Pakuotė / dėklas

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pagrindinio produkto numeris

TSM2

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

1801-TSM2NB60CH

Standartinis paketas

15,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

good-ark-semiconductor

SSF6092G1

MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,

TSM500N15CS

150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

TSM650N15CR

150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SIRS4401DP-T1-GE3

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE