Gamintojo produkto numeris:
TSM80N950CP
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM80N950CP-DG
Aprašymas:
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventorius:
13001021
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM80N950CP Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
691 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
110W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
TSM80
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
1801-TSM80N950CPTR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
AOD4S60
GAMINTOJAS
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
7783
DiGi DALIES NUMERIS
AOD4S60-DG
VISO KAINA
0.47
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IPD80R900P7ATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
4939
DiGi DALIES NUMERIS
IPD80R900P7ATMA1-DG
VISO KAINA
0.47
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SPD04N50C3ATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7723
DiGi DALIES NUMERIS
SPD04N50C3ATMA1-DG
VISO KAINA
0.57
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
