Gamintojo produkto numeris:
CSD18535KTT
Product Overview
Gamintojas:
Texas Instruments
Detalių numeris:
CSD18535KTT-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventorius:
12789540
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
CSD18535KTT Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Texas Instruments
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
NexFET™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6620 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (DDPAK-3)
Pakuotė / dėklas
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pagrindinio produkto numeris
CSD18535
Duomenų lapas ir dokumentai
Gamintojo produkto puslapis
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
296-48121-6
296-48121-1
296-48121-2
CSD18535KTT-DG
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
2 (1 Year)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
CSD18541F5T
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
CSD19538Q2T
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
CSD18503Q5AT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
