Gamintojo produkto numeris:
CSD18563Q5A-P
Product Overview
Gamintojas:
Texas Instruments
Detalių numeris:
CSD18563Q5A-P-DG
Aprašymas:
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 93A (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Inventorius:
12996133
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
CSD18563Q5A-P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Texas Instruments
Pakuotė
-
Serijos
NexFET™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Ta), 93A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.2W (Ta), 116W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-VSON (5x6)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
CSD18563
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
296-CSD18563Q5A-PTR
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
AOK065V65X2
MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
PSMN4R8-100YSEX
PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
