Gamintojo produkto numeris:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Aprašymas:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventorius:
12890736
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SA1930(LBS2MATQ,M Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
2 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
180 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
5µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Galia - Maks.
2 W
Dažnis - perėjimas
200MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220NIS
Pagrindinio produkto numeris
2SA1930
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
2SC2235-Y,USNHF(M
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD