Gamintojo produkto numeris:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
Aprašymas:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventorius:
12889863
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SB1481(TOJS,Q,M) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
4 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
2µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Galia - Maks.
2 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220NIS
Pagrindinio produkto numeris
2SB1481
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SC6026MFV-Y,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD