Gamintojo produkto numeris:
2SJ668(TE16L1,NQ)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
2SJ668(TE16L1,NQ)-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Inventorius:
12889158
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Xi3O
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SJ668(TE16L1,NQ) Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
U-MOSIII
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
700 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
20W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PW-MOLD
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
2SJ668
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2SJ668(TE16L1NQ)
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TJ8S06M3L,LXHQ
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
3443
DiGi DALIES NUMERIS
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
VISO KAINA
0.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
TK8A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
