Gamintojo produkto numeris:
2SK2009TE85LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
2SK2009TE85LF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventorius:
12890631
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
Y9gE
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SK2009TE85LF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 100µA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
70 pF @ 3 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
200mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-59-3
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
2SK2009
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2SK2009TE85LFCT
2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
2SK2009TE85LFDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NX3020NAK,215
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
112914
DiGi DALIES NUMERIS
NX3020NAK,215-DG
VISO KAINA
0.02
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
2N7002P,215
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
1165046
DiGi DALIES NUMERIS
2N7002P,215-DG
VISO KAINA
0.02
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SSM3K15ACT(TPL3)
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
TPHR9203PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
TK40E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 40A TO220
