Gamintojo produkto numeris:
2SK3132(Q)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
2SK3132(Q)-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 50A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Inventorius:
12890088
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
J6aK
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SK3132(Q) Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
50A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
280 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11000 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
250W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P(L)
Pakuotė / dėklas
TO-3PL
Pagrindinio produkto numeris
2SK3132
Papildoma informacija
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFK64N50Q3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
23
DiGi DALIES NUMERIS
IXFK64N50Q3-DG
VISO KAINA
17.55
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
TK31J60W,S1VQ
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
25
DiGi DALIES NUMERIS
TK31J60W,S1VQ-DG
VISO KAINA
4.32
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXFK78N50P3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFK78N50P3-DG
VISO KAINA
12.94
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK6A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
SSM3J328R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K336R,LF
MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
