Gamintojo produkto numeris:
HN3C51F-BL(TE85L,F
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
HN3C51F-BL(TE85L,F-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventorius:
12889539
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HN3C51F-BL(TE85L,F Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistoriai rinkiniai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
2 NPN (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
120V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
Galia - Maks.
300mW
Dažnis - perėjimas
100MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74, SOT-457
Tiekėjo įrenginių paketas
SM6
Pagrindinio produkto numeris
HN3C51
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
HN3C51F-BL(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-BL(TE85L,F)
HN3C51F-BLTE85LF
HN3C51F-BL (TE85L,F
HN3C51F-BL(TE85LFCT
HN3C51FBL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR-DG
HN3C51FBL(TE85LFTR-DG
HN3C51F-BL(TE85LF)CT
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR
HN3C51F-BL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-DG
HN3C51F-BL(TE85LFDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
2SC4117-BL,LF
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
16200
DiGi DALIES NUMERIS
2SC4117-BL,LF-DG
VISO KAINA
0.02
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BC847CDLP-7
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN
HN1C01FE-Y,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6