Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Kongo Demokratinė Respublika
Argentina
Turkija
Rumunija
Lietuva
Norvegija
Austrija
Angola
Slovakija
litų
Suomija
Baltarusija
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Juodkalnija
Rusų
Belgija
Švedija
Serbija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Moldavija
Vokietija
Nyderlandai
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Prancūzija
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Portugalija
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Ispanija
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
HN4A51JTE85LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
HN4A51JTE85LF-DG
Aprašymas:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventorius:
6119 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889130
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HN4A51JTE85LF Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistoriai rinkiniai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 PNP (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
120V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Galia - Maks.
300mW
Dažnis - perėjimas
100MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74A, SOT-753
Tiekėjo įrenginių paketas
SMV
Pagrindinio produkto numeris
HN4A51
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
HN4A51J
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
HN4A51J (TE85L,F)
HN4A51J(TE85L,F)
HN4A51JTE85LFDKR
HN4A51JTE85LFCT
HN4A51JTE85LFTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HN1C01FU-Y,LF
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6