Gamintojo produkto numeris:
HN4B01JE(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventorius:
3440 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891278
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HN4B01JE(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistoriai rinkiniai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
150mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Galia - Maks.
100mW
Dažnis - perėjimas
80MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-553
Tiekėjo įrenginių paketas
ESV
Pagrindinio produkto numeris
HN4B01
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
HN4B01JETE85LF
HN4B01JE(TE85LF)TR
HN4B01JE(TE85LF)DKR
HN4B01JE (TE85L,F)
HN4B01JE(TE85LF)CT
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FMY1AT148
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
175
DiGi DALIES NUMERIS
FMY1AT148-DG
VISO KAINA
0.10
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SC4207-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
HN4B04J(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
DMMT3904W-7
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
