Gamintojo produkto numeris:
RN1109,LF(CT
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1109,LF(CT-DG
Aprašymas:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventorius:
12891402
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1109,LF(CT Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienviečiai, išankstiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN - Pre-Biased
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Rezistorius - pagrindas (R1)
47 kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250 MHz
Galia - Maks.
100 mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-75, SOT-416
Tiekėjo įrenginių paketas
SSM
Pagrindinio produkto numeris
RN1109
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
264-RN1109,LF(CTDKR
RN1109LF(CT
264-RN1109,LF(CTTR
RN1109,LF(CB
RN1109LF(CT-DG
264-RN1109,LF(CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DDTC144WE-7-F
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DDTC144WE-7-F-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN2103,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1308,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2310(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
