Gamintojo produkto numeris:
RN1131MFV(TL3,T)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1131MFV(TL3,T)-DG
Aprašymas:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889320
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1131MFV(TL3,T) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienviečiai, išankstiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Cut Tape (CT)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN - Pre-Biased
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Rezistorius - pagrindas (R1)
100 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Galia - Maks.
150 mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-723
Tiekėjo įrenginių paketas
VESM
Pagrindinio produkto numeris
RN1131
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
Standartinis paketas
8,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DTC115TM3T5G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DTC115TM3T5G-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2103(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM