Gamintojo produkto numeris:
RN1510(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1510(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventorius:
122 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889757
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1510(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Cut Tape (CT)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74A, SOT-753
Tiekėjo įrenginių paketas
SMV
Pagrindinio produkto numeris
RN1510
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1510(TE85LF)TR
RN1510(TE85LF)DKR
RN1510(TE85LF)CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1968(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4901(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2506(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
