Gamintojo produkto numeris:
RN1511(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1511(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventorius:
2870 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891142
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1511(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
10kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74A, SOT-753
Tiekėjo įrenginių paketas
SMV
Pagrindinio produkto numeris
RN1511
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1511(TE85LF)CT
RN1511(TE85LF)DKR
RN1511(TE85LF)TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1901FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4903,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER2