Gamintojo produkto numeris:
RN1605TE85LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1605TE85LF-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventorius:
73 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891783
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1605TE85LF Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
2.2kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
47kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
300mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SC-74, SOT-457
Tiekėjo įrenginių paketas
SM6
Pagrindinio produkto numeris
RN1605
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1605TE85LFCT
RN1605TE85LFDKR
RN1605(TE85L,F)
RN1605TE85LFTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PEMH10,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
7750
DiGi DALIES NUMERIS
PEMH10,115-DG
VISO KAINA
0.07
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DCX144EU-7-F
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
RN2902FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
RN2905FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
