Gamintojo produkto numeris:
RN1701,LF
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1701,LF-DG
Aprašymas:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventorius:
6359 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889195
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1701,LF Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
4.7kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
200mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tiekėjo įrenginių paketas
USV
Pagrindinio produkto numeris
RN1701
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1701LFCT
RN1701LFTR
RN1701LFDKR
RN1701,LF(T
RN1701,LF(B
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN2961(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4989FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
RN2911(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6