Gamintojo produkto numeris:
RN1703JE(TE85L,F)
Product Overview
Gamintojas:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detalių numeris:
RN1703JE(TE85L,F)-DG
Aprašymas:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventorius:
7890 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12889230
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
RN1703JE(TE85L,F) Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistorių rinkiniai, išankstinis buvimas
Gamintojas
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Rezistorius - pagrindas (R1)
22kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
22kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Dažnis - perėjimas
250MHz
Galia - Maks.
100mW
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
SOT-553
Tiekėjo įrenginių paketas
ESV
Pagrindinio produkto numeris
RN1703
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RN1703JE(TE85LF)TR
RN1703JE(TE85LF)DKR
RN1703JE(TE85LF)CT
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
RN1911,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
RN2702,LF
TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
RN4907,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
